TYPE-C 快充

通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计,恒芯半导体的中低压 MOSFET实现了功率密度最大化。一方面大幅度降低电 流传导过程中的导通功率损耗 ;另一方面有效降低了栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功 率损耗。优异的 FOM表现完美支持快充电源产品同步整流设计。

常用MOS管型号

型号 耐压 电流 电阻 封装形式
HM7N65 650V 7A 1.1 TO-251/TO-252/TO-220F
HM8N70 700V 8A 0.95 TO-251/TO-252/TO-220F
HM6NC65 650V 6A 0.8 TO-251/TO-252/TO-220F
HM7NC65 650V 7A 0.52 TO-251/TO-252/TO-220F
HM8NC65 650V 8A 0.5 TO-251/TO-252/TO-220F
HM4NC70 700V 4A 1.2 TO-251/TO-252/TO-220F
HM8NC70 700V 8A 0.54 TO-251/TO-252/TO-220F
HM8NC80 800V 8A 0.68 TO-220/TO-220F
HM80N04 40V 80A 0.0055 TO-251/TO-252/TO-220
HM50N06 60V 50A 0.023 TO-251/TO-252/TO-220
HM60N06 60V 60A 0.01 TO-251/TO-252/TO-220
HM80N06 60V 80A 0.0115 TO-251/TO-252/TO-220
HM70N08 80V 70A 0.011 TO-251/TO-252/TO-220
HM50N10 100V 50A 0.017 TO-251/TO-252/TO-220
HM57N10 100V 57A 0.015 TO-251/TO-252/TO-220
HM80N10 100V 80A 0.0087 TO-251/TO-252/TO-220
HM100N10 100V 100A 0.0072 TO-220