BLDC(风机,平衡车和无人机等应用)

通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计,恒芯半导体的中低压 MOSFET实现了功率密度最大化。一方面大幅度降低电 流传导过程中的导通功率损耗; 另一方面有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速 开关过程中降 低开关功率损耗。优异的FOM表现和浪涌能力鼎力支持BLDC驱动设计。

常用MOS管型号

型号 耐压 电流 电阻 封装形式
HM120N055 55V 120A 0.0055 TO-220
HM60N06 60V 60A 0.01 TO-220
HM150N06 60V 150A 0.0044 TO-220
HM75N075 75V 75A 0.006 TO-220
HM180N075 75V 180A 0.003 TO-220
HM75N08 80V 75A 0.011 TO-220
HM80N08 80V 80A 0.0092 TO-220
HM110N08 80V 110A 0.0072 TO-220
HM150N08 80V 150A 0.0051 TO-220
HM100N10 100V 100A 0.0072 TO-220
HM150N10 100V 150A 0.0056 TO-220
HM210N10 100V 210A 0.0043 TO-247
HM290N10 100V 290A 0.0035 TO-247